| 发明名称 | 实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种实质上具有晶格匹配的半导体材料及其制造方法。在一方面中，该半导体元件包含有一第一半导体材料、一第二半导体材料以及一沉积于该第一半导体材料以及该第二半导体材料之间的原子模板间层；该原子模板间层将与第一半导体材料以及第二半导体材料产生键结并促使两半导体材料之间产生实质上的晶格匹配。 | ||
| 申请公布号 | CN102097461B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201010542762.6 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 宋健民 | 发明人 | 宋健民 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 一种实质上具有晶格匹配的半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：一第一半导体材料；一设置于该第一半导体材料上的第二半导体材料；以及一设置于该第一半导体材料与该第二半导体材料之间的原子模板间层，该原子模板间层与该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且促使形成实质上的晶格匹配；其中该第一半导体材料为一钻石材料，而该原子模板间层是石墨烯，且该原子模板间层为该钻石材料经过石墨烯化后的表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县 | ||