浅沟槽隔离工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离工艺，通过分步对硅衬底和氮化硅层进行刻蚀工艺，在相同的工艺条件下，提高了化学气象淀积工艺对浅沟隔离槽的填充能力，即在不需要引进新材料或是新工艺的前提下，保证隔离层隔离效果的同时，提高填充能力，且方法简单，可以与传统的STI CMP工艺相兼容，降低了成本，还增加了器件的性能，进而提高产品的良率。

主权项

一种浅沟槽隔离工艺，其特征在于，包括：于一半导体衬底上生长第一保护层，采用第一光刻、第一刻蚀工艺，于所述半导体衬底中形成第一沟槽；沉积阻挡层覆盖剩余的第一保护层的表面和所述第一沟槽的底部及其侧壁；填充隔离材料充满所述第一沟槽并覆盖所述阻挡层的表面；对所述隔离材料进行平坦化工艺至剩余的半导体衬底的表面，形成位于所述第一沟槽中的第一隔离材料层；制备第二保护层覆盖所述剩余的半导体衬底的表面和所述第一隔离材料层的表面，沉积氮化硅层覆盖所述第二保护层的上；采用第二光刻、第二刻蚀工艺刻蚀所述氮化硅层至所述第一隔离材料层的表面，形成第二沟槽；填充隔离材料充满所述第二沟槽并覆盖剩余的氮化硅层的表面；对所述隔离材料进行平坦化工艺至所述剩余的氮化硅层的表面，形成位于所述第二沟槽中的第二隔离材料层；其中，所述第二沟槽位于所述第一沟槽的正上方，且所述第二沟槽与所述第一沟槽相互对准。