一种新型离子束复合处理系统

摘要

本实用新型公开了一种离子束复合处理系统，所述离子束复合处理系统包括：真空室、混合离子束注入装置、磁控溅射靶和离子溅射源。本实用新型结合了磁控溅射和离子注入技术，具有气体离子注入、金属离子注入、离子复合注入的功能，适合于金属材料、光学膜、电导膜、半导体材料等表面改性，具有较高的实用价值。

主权项

一种离子束复合处理系统，其特征在于，所述离子束复合处理系统包括：真空室、混合离子束注入装置、磁控溅射靶和离子溅射源；其中，所述混合离子束注入装置位于所述真空室的上方，所述真空室的内部设有工件台，所述工件台位于所述混合离子束注入装置的下方，工件位于所述工件台上；所述磁控溅射靶位于所述混合离子束注入装置的右下侧，所述离子溅射源位于所述磁控溅射靶的右下侧；所述混合离子束注入装置由放电室和离子束线源引出系统组成，所述放电室内设有多个热电子发射器。