发明名称 多通道与非型闪存控制器
摘要 本发明公开了一种多通道与非型闪存控制器,包括:一微控制器,一设备端控制器,一设备端DMA控制器,一数据访问仲裁逻辑模块,系统存储器,第一ECC编码器,第二ECC编码器,一ECC解码器,第一与非型闪存DMA写控制逻辑模块,第二与非型闪存DMA写控制逻辑模块,与非型闪存DMA读控制逻辑模块,第一与非型闪存写数据缓存区,第二与非型闪存写数据缓存区,与非型闪存读数据缓存区,与非型闪存接口控制器。当一个与非型闪存DMA写控制逻辑模块和与非型闪存DMA读控制逻辑模块被用来做垃圾块回收时,另一个与非型闪存DMA写控制逻辑模块可用来往与非型闪存存储阵列模块写入数据。本发明能隐藏垃圾块回收所产生的延时,提高系统的整体性能。
申请公布号 CN103226528A 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201210021219.0 申请日期 2012.01.31
申请人 上海华虹集成电路有限责任公司 发明人 迟志刚
分类号 G06F13/28(2006.01)I 主分类号 G06F13/28(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 戴广志
主权项 一种多通道与非型闪存控制器,其特征在于,包括:一微控制器,用于控制系统中各组成单元;一设备端控制器,用于以特定协议和主控端进行数据传输;一设备端直接存储器访问DMA控制器,用于控制所述设备端控制器和系统存储器之间的数据传输;一数据访问仲裁逻辑模块,用于仲裁所述微控制器、设备端控制器和与非型闪存存储阵列模块对系统存储器的访问请求;一系统存储器,用于暂存与非型闪存存储阵列模块和所述与非型闪存控制器之间传输的数据,及存放当前数据读写所使用的地址映射表;一第一纠错码ECC编码器,用于对通过第一写数据通路写入与非型闪存存储阵列模块的数据进行纠错码ECC编码;一第二纠错码ECC编码器,用于对通过第二写数据通路写入与非型闪存存储阵列模块的数据进行ECC编码;一纠错码ECC解码器,用于对从与非型闪存存储阵列模块读出的数据进行查错和纠错;一第一与非型闪存直接存储器访问与非型闪存DMA写控制逻辑模块,将数据从系统存储器搬移到第一与非型闪存写数据缓存区;一第二与非型闪存直接存储器访问与非型闪存DMA写控制逻辑模块,将数据从系统存储器搬移到第二与非型闪存写数据缓存区;一与非型闪存直接存储器访问与非型闪存DMA读控制逻辑模块,将数据从与非型闪存读数据缓存区搬移到系统存储器;一第一与非型闪存写数据缓存区,用于存放从系统存储器中读出且未写入与非型闪存存储阵列模块的数据;一第二与非型闪存写数据缓存区,用于存放从系统存储器中读出且未 写入与非型闪存存储阵列模块的数据;一与非型闪存读数据缓存区,用于存放从与非型闪存存储阵列模块读出,且未写入系统存储器的数据;一与非型闪存接口控制器,控制所述与非型闪存控制器与所述与非型闪存存储阵列模块之间的数据传输。
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