| 发明名称 | 集成电路及制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种集成电路，包括：衬底(10)，包括至少一个光传感器(12)；衬底上方的互连结构(20)；互连结构上的至少一个钝化层(30)，所述钝化层包括所述至少一个光传感器上方的第一区域；以及气体传感器如湿气传感器(50)，至少部分地位于所述至少一个钝化层的另一区域上，其中气体传感器包括处于第一电极(42)和第二电极(44)之间的气敏层(46’)，气敏层还包括位于第一区域上的一部分(46”)。还公开了一种制造这种IC的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103226040A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201310034040.3 | 申请日期 | 2013.01.29 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 尤里·波诺马廖夫;戴维·卡斯特罗;罗埃尔·达门 |
| 分类号 | G01J1/42(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I | 主分类号 | G01J1/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：衬底(1O)，包括至少一个光传感器(12)；衬底上方的互连结构(20)；互连结构上的至少一个钝化层(30)，所述钝化层包括所述至少一个光传感器上方的第一区域；以及气体传感器(50)，至少部分地位于所述至少一个钝化层的另一区域上，其中所述气体传感器包括处于第一电极(42)和第二电极(44)之间的气敏层(46’)，所述气敏层还包括位于第一区域上的一部分(46”)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||