| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将有源层和栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。采用本发明技术方案，由于第一组保护层对栅电极金属层和有源层隔离开，因此，避免了铜扩散污染有源层，大大提高了产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103227208A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201310123609.3 | 申请日期 | 2013.04.10 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 袁广才 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杜秀科 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将所述有源层和所述栅电极金属层隔离；所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||