基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种在P型硅衬底上制备背接触式HIT太阳能电池的方法。本发明的制备工艺将常规晶硅生产工艺和薄膜太阳能电池生产工艺结合，方法简单，能够迅速产业化；太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，既避免了常规太阳能电池正面电极遮光的问题，又降低了对电极印刷精度和高宽比的要求；在组件生产中使用本电池可减少焊接工序，节约焊带，降低组件生产成本。

主权项

一种基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤包括：（1）在制绒后的P型硅片正表面沉积一层高浓度P+型非晶硅薄膜，膜厚度范围为1~50000nm；（2）在硅片背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层N型非晶硅薄层，膜厚度范围为1~50000nm；（3）在硅片背表面采用丝网印刷烧结方式沉积SiO2作为掩膜；（4）在硅片正表面沉积氮化硅减反射层，采用PECVD技术，减反射膜厚度为75~85nm，折射率为2.0~2.2；（5）使用强碱溶液腐蚀背表面掩膜未遮档区域直至露出P型硅基体，所用强碱腐蚀剂为KOH、NaOH或四甲基氢氧化铵,碱溶液浓度为0.1%~40%；使用HF酸腐蚀掉SiO2掩膜以露出N型非晶硅，HF酸浓度为1%~40%；（6）在硅片背表面沉积一层SiO2薄层作为背面钝化层和反射面，SiO2薄层厚度在1~50000nm；（7）在背表面的N型区域和P型区域分别丝网印刷导电浆料经烧结作为N区电极和P 区电极，N型区域上采用的电极印刷材料为银浆；P型区域上采用的电极印刷材料为银浆或者银铝浆。