| 发明名称 | 形成HTS制品的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成超导制品的方法，该方法包括提供基材带，形成覆盖在该基材带上的超导层，沉积覆盖在超导层上的覆层。所述覆层包含贵金属，其厚度不大于约1.0微米。该方法还包括使用对超导层非反应性的溶液，将该溶液电沉积覆盖在覆层上形成稳定层。超导层具有形成后的临界电流IC(AF)和稳定后的临界电流IC(PS)。IC(PS)至少约为IC(AF)的95％。 | ||
| 申请公布号 | CN101978435B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN200980110672.5 | 申请日期 | 2009.02.17 |
| 申请人 | 美国超能公司 | 发明人 | R·N·巴塔察里亚;张珣;V·塞尔瓦曼尼克姆 |
| 分类号 | H01B12/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B12/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生;周承泽 |
| 主权项 | 一种形成超导制品的方法，该方法包括：提供基材带；形成覆盖在基材带上的超导层，该超导层具有形成后的临界电流IC(AF)；沉积覆盖在超导层上的覆层，该覆层厚度不大于1.0微米，包含贵金属，其中，所述沉积覆层的步骤包括使包含超导层的基材带与银电沉积溶液接触，并且所述银电沉积溶液包含银盐和含硫添加剂；和使用对超导层非反应性的溶液，将该溶液电沉积覆盖在覆层上形成稳定层，超导层具有稳定后的临界电流IC(PS)，临界电流IC(PS)为IC(AF)的至少95%。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||