发明名称 |
一种深紫外线LED用单基质白光荧光粉及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种深紫外线LED用白光荧光粉,其化学式为AnxBxRE1-x-yPzV1-zO4:Dy3+y,其中RE为稀土离子Y3+,La3+,Gd3+,Lu3+;A为碱金属离子Li+,Na+,K+;B为过渡金属离子Zn2+,Cd2+;0≤n≤4,0≤x≤0.4,0≤y≤0.3,0≤z≤1。采用化学共沉淀法将含有相应阴、阳离子的原料溶解成溶液,混合后产生的沉淀物经洗涤、干燥、煅烧;或采用固相反应法将原料混合充分研磨后煅烧即得与基质(RE(P,V)O4)晶体结构相同的单相荧光粉。通过碱金属与过渡金属离子的协同敏化作用提高了发光强度,在250~350nm范围内形成宽的强激发带。 |
申请公布号 |
CN102002363B |
申请公布日期 |
2013.07.31 |
申请号 |
CN201010292829.5 |
申请日期 |
2010.09.25 |
申请人 |
西安理工大学 |
发明人 |
何毓阳;宋衍滟;赵麦群;李峰;赵高扬;高飞山;张子富 |
分类号 |
C09K11/83(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/83(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
一种深紫外线LED用单基质白光荧光粉,其特征在于:具有如下的化学组成表达式AnxBxRE1‑x‑yPzV1‑zO4:Dy3+y;其中,A为碱金属离子,选自Li+,Na+或K+中的一种;B为过渡金属离子,选自Zn2+或Cd2+;RE为稀土离子,选自Y3+,La3+,Gd3+或Lu3+中的一种;x,y,z为相应掺杂元素相对于RE所占的摩尔百分比系数;0≤n≤4;x,y,z的取值分别为:x=0.001,y=0.01,z=0.2;x=0.001,y=0.1,z=0.8;x=0.001,y=0.03,z=0.1;x=0.15,y=0.05,z=0.6;x=0.15,y=0.3,z=0.1;或x=0.4,y=0.2,z=1。 |
地址 |
710048 陕西省西安市金花南路5号 |