| 发明名称 | 高纯钴靶材的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的高纯钴靶材的制备方法，包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比，本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯，获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯，克服了钴靶材由于质地坚硬易碎，而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102423802B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201110430577.2 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 |
| 分类号 | B22F3/16(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | B22F3/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种高纯钴靶材的制备方法，其特征在于，工艺步骤包括：将钴粉装入模具；冷压成型；真空热压烧结，所述真空热压烧结的方式为：先抽真空至少到真空度50Pa，升温至800℃，保温1小时，再升温到1000～1200℃，充入氩气保温2小时，然后缓慢加压到30MPa以上，保温保压2～3小时。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 | ||