| 发明名称 | 半导体激光装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种具有稳定的散热性的半导体激光装置。半导体激光装置(100)具备半导体激光元件(10)、载置半导体激光元件(10)的载置体(30)、与载置体(30)连接的基体(40)。基体(40)具有与载置体(30)嵌合的凹部和将凹部的底部的一部分贯通的贯通部。在此，凹部的底部中的除了贯通部之外的剩余部分的厚度为基体(40)的最大厚度的一半以下。载置体(30)的最下表面通过隔着剩余部分而从基体(40)的最下表面分离。 | ||
| 申请公布号 | CN103227410A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201310019591.2 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 冈久英一郎 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/022(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种半导体激光装置，其具备半导体激光元件、载置所述半导体激光元件的载置体、以及与所述载置体连接的基体，所述半导体激光装置的特征在于，所述基体具有与所述载置体嵌合的凹部和将所述凹部的底部的一部分贯通的贯通部，所述底部中的除了所述贯通部之外的剩余部分的厚度为所述基体的最大厚度的一半以下，所述载置体的最下表面通过隔着所述剩余部分而相对于所述基体的最下表面离开。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||