发明名称 测辐射热计
摘要 本实用新型涉及测辐射热计(10),其包括:基底(12);通过去除基底(12)上的第一牺牲层(14)形成的第一膜(16),所述第一膜(16)包括用于测量入射电磁辐射(R)的量的测量元件(18);通过去除所述第一膜(16)上的第二牺牲层(20)形成的第二膜(22),所述第二膜(22)包封所述第一膜(16);在所述基底(12)和所述第一膜(16)之间形成的第一腔(24);以及在所述第一膜(16)和所述第二膜(22)之间形成的第二腔(26)。本实用新型还涉及制造测辐射热计的方法、以及热记录图像传感器和医学设备。
申请公布号 CN203100906U 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201220501541.9 申请日期 2012.09.28
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 P·迪克森;S·海斯达尔
分类号 G01J5/20(2006.01)I 主分类号 G01J5/20(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 王英;刘炳胜
主权项 一种测辐射热计(10),其包括: ‑基底(12); ‑通过去除所述基底(12)上的第一牺牲层(14)形成的第一膜(16),所述第一膜(16)包括用于测量入射电磁辐射(R)的量的测量元件(18),以及 ‑在所述基底(12)和所述第一膜(16)之间形成的第一腔(24), 其特征在于,所述测辐射热计还包括: ‑通过去除所述第一膜(16)上的第二牺牲层(20)形成的第二膜(22),所述第二膜(22)包封所述第一膜(16),以及 ‑在所述第一膜(16)和所述第二膜(22)之间形成的第二腔(26)。
地址 荷兰艾恩德霍芬