| 发明名称 | 半导体激光器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。该半导体激光器包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖脊部侧面和半导体层的顶面；其中，嵌入膜从脊部和半导体层侧开始依次包括由硅氧化膜构成的第一层、由具有比有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成的第二层、以及由无机绝缘材料制成的第三层。 | ||
| 申请公布号 | CN103227418A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201310019841.2 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 松谷弘康;佐藤圭 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体激光器，包括：半导体层，包括有源层和脊部，所述脊部面对所述有源层的电流注入区域；以及嵌入膜，覆盖所述脊部的侧面和所述半导体层的顶面，其中，所述嵌入膜从接近所述脊部和所述半导体层的位置依次包括：第一层，由硅氧化膜构成，第二层，由具有比所述有源层低的折射率并具有高于化学计量比的硅含量的硅化合物制成，以及第三层，由无机绝缘材料制成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||