发明名称 一种整平剂抑制铜沉积所得效果的判定方法及其应用
摘要 本发明涉及一种整平剂抑制铜沉积所得效果的判定方法及其应用,属于硅通孔电镀铜沉积技术领域。其将待电镀的带有垂直硅通孔的晶圆浸没在含抑制剂和氯离子的镀液中,对所述晶圆通上电流;然后检测晶圆表面无垂直硅通孔处的一点的电势;在所述镀液中加入整平剂,再次检测该点电势;对比前后测得的该点电势,若所测加入整平剂后的电势比未加整平剂时的电势降低,则判定为所加整平剂对电镀铜有抑制效果。对于不同浓度的整平剂和不同类别的整平剂的抑制作用均可通过此方法判断。本发明的优点是:本发明对TSV电镀铜添加剂配比及晶圆表层过电镀的抑制具有指导作用,能促进TSV电镀铜工艺研发,且具有简易、快速、准确等优点。
申请公布号 CN103225101A 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201310173843.7 申请日期 2013.05.10
申请人 江苏物联网研究发展中心 发明人 于大全;伍恒;程万
分类号 C25D21/14(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;C25D7/04(2006.01)I 主分类号 C25D21/14(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人 殷红梅
主权项 一种整平剂抑制铜沉积所得效果的判定方法,其特征是步骤如下:(1)电镀系统的准备:取待电镀的带有垂直硅通孔的晶圆(1)浸没在含抑制剂和氯离子的硫酸铜或甲基磺酸铜镀液(2)中;其中抑制剂的浓度为10‑1500mg/L、氯离子浓度为0.01‑100mg/L、有机酸或者无机酸的浓度10‑200g/L、铜离子浓度为0.1‑100g/L;(2)第一次电势测定:对晶圆(1)通电,电压为0.1‑0.3V;在晶圆(1)上无垂直硅通孔上选取一点A,采用探测仪器测量A点电势,记录读数;(3)第二次电势测定:在渡液(2)中加入整平剂,通电后再次测定A点电势,记录度数;若加入整平剂后的电势比步骤(2)记录的未加整平剂时的电势降低,则判定为所加整平剂对电镀铜有抑制效果。
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