半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备含有硅的基板、设置在上述基板的上方的多个配线、以及设置在上述多个配线的各自的上面且具有比上述多个配线的宽度尺寸长的宽度尺寸的多个空隙控制部。并且，在邻接的上述多个配线彼此之间分别设置有空隙，上述空隙的顶部设置在邻接的上述多个空隙控制部彼此之间、且上述多个空隙控制部的下表面位置和上表面位置之间。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，含有硅；多个配线，设置在上述基板的上方；以及，多个空隙控制部，设置在上述多个配线的各自的上面，具有比上述多个配线的宽度尺寸长的宽度尺寸，在邻接的上述多个配线彼此之间，分别设置有空隙，上述空隙的顶部设置在邻接的上述多个空隙控制部彼此之间、且上述多个空隙控制部的下表面位置和上表面位置之间。