| 发明名称 | 一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置，方法包括以下步骤：将硅片放入干燥槽，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽。利用冷凝室对IPA汽雾“骤冷”，使得IPA汽雾中的大粒径液滴以及杂质颗粒被去除。利用加热控温室对IPA“骤热”，使IPA汽雾中气化的IPA的比例进一步增加。从而使得IPA汽雾能够均匀的凝结在纯水表面。本发明的优点是：由于IPA液滴中大颗粒液滴的有效消除，使得后序热氮气干燥的时间缩短。从整体上降低了硅片的清洗时间，提高了清洗机的利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN101718487B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN200910242236.5 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 有研半导体材料股份有限公司 | 发明人 | 盛方毓;冯泉林;闫志瑞;葛钟;陈海滨;库黎明;索思卓 |
| 分类号 | F26B5/16(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | F26B5/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 郭佩兰 |
| 主权项 | 一种硅片清洗后的快速干燥方法，其特征在于：它包括以下步骤：将硅片放入干燥槽，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥硅片，所述的冷凝室的温度控制在2‑15℃之间。 | ||
| 地址 | 100088 北京市新街口外大街2号 | ||