硅纳米管的制作方法

摘要

本发明涉及一种硅纳米管的制作方法，包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；边旋转硅片边以一倾斜角度对多晶硅线进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；以垂直角度对多晶硅线进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜。本发明采用氮化硅作为注入阻挡层，旋转硅片对多晶硅线侧壁均匀掺杂，去除氮化硅阻挡层对多晶硅线的顶部进行掺杂，使得多晶硅线上均匀掺杂，同时使得后续在多晶硅线上热氧化生长的二氧化硅膜厚度均匀，硅纳米管的性能提高。

主权项

一种硅纳米管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；边旋转硅片边以一倾斜角度对多晶硅线进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；以垂直角度对多晶硅线进行离子注入；在多晶硅线上热氧化生长二氧化硅膜；所述倾斜角度为20‑30°。