制作具有P型多晶硅栅的半导体器件结构的方法

摘要

本发明提供一种制作具有P型多晶硅栅的半导体器件结构的方法，P型多晶硅栅的薄层电阻为目标值，方法包括：提供衬底，衬底上具有P型多晶硅栅；在衬底和P型多晶硅栅上依次形成衬垫材料层及间隙壁材料层，衬垫材料层包含以第一沉积温度沉积的第一氧化物，间隙壁材料层包含以第二沉积温度沉积的第二氧化物，其中，根据目标值，设定第一沉积温度和/或第二沉积温度；去除间隙壁材料层位于衬底和P型多晶硅栅之上的部分；通过离子注入和退火在P型多晶硅栅两侧的衬底中形成源极和漏极。本发明的方法能够单独调整P型多晶硅栅的薄层电阻，并将P型多晶硅栅的薄层电阻调至目标值。

主权项

一种制作具有P型多晶硅栅的半导体器件结构的方法，所述P型多晶硅栅的薄层电阻为目标值，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有P型多晶硅栅；在所述衬底和所述P型多晶硅栅上依次形成衬垫材料层及间隙壁材料层，所述衬垫材料层包含以第一沉积温度沉积的第一氧化物，所述间隙壁材料层包含以第二沉积温度沉积的第二氧化物；去除所述间隙壁材料层位于所述衬底和所述P型多晶硅栅之上的部分；通过离子注入和退火在所述P型多晶硅栅两侧的衬底中形成源极和漏极，其中，根据所述目标值，设定所述第一沉积温度和/或所述第二沉积温度，该设定包括：将所述第一沉积温度或第二沉积温度设定为所述目标值在预先测定的第一关系曲线上对应的温度值，所述第一关系曲线是所述衬底上的P型多晶硅栅的薄层电阻与所述第一氧化物或所述第二氧化物的沉积温度之间的关系曲线，所述第一关系曲线是由以下测定方法获得的，所述测定方法包括：通过实验分别测定P型多晶硅栅的薄层电阻在多种条件下与所述第一氧化物或所述第二氧化物的沉积温度之间的关系曲线；以及选择与所述衬底上的P型多晶硅栅所处的条件相对应的关系曲线作为所述第一关系曲线；或者将所述第一沉积温度和第二沉积温度均设定为所述目标值在预先测定的第二关系曲线上对应的温度值，所述第一沉积温度与所述第二沉积温度相同，所述第二关系曲线是所述衬底上的P型多晶硅栅的薄层电阻与所述第一氧化物和所述第二氧化物的沉积温度之间的关系曲线，在所述第二关系曲线中，相对于同一薄层电阻，所述第一氧化物的沉积温度与所述第二氧化物的沉积温度相同，所述第二关系曲线是由以下测定方法获得的，所述测定方法包括：通过实验分别测定P型多晶硅栅的薄层电阻在多种条件下与所述第一氧化物和所述第二氧化物的沉积温度之间的关系曲线；以及选择与所述衬底上的P型多晶硅栅所处的条件相对应的关系曲线作为第二关系曲线。