| 摘要 |
1. Способ наладки технологической камеры в устройстве для осаждения по меньшей мере одного III-V-полупроводникового слоя на подложку, удерживаемую подложкодержателем в технологической камере, в котором посредством газовпускного устройства, в частности с помощью газа-носителя, в технологическую камеру вводят технологический газ, который содержит по меньшей мере одно металлоорганическое соединение элемента главной подгруппы III группы и гидрид элемента главной подгруппы V группы, который там разлагается, в частности, на горячих поверхностях, с образованием продуктов разложения, которые имеют компоненты, образующие III-V-полупроводниковый слой, отличающийся тем, что для обращенной к технологической камере поверхности по меньшей мере противолежащей подложкодержателю стенки технологической камеры выбирают материал, оптическая отражательная способность, оптическая поглощательная способность и коэффициент оптического светопропускания которого в каждом случае соответствуют характеристикам слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверхности подложкодержателя и/или боковых стенок также имеют оптические свойства, которые соответствуют характеристикам наслоения, осажденного во время роста слоя.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что подложкодержатель представляет собой днище технологической камеры, и впускное устройство размещают в центре потолка технологической камеры.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что технологическую камеру продувают газом-носителем и технологическим газом в горизонтальном направлении.5. Способ по п.3, отличающийся тем, что технологическую камеру продувают газом-носителем � |
