| 摘要 |
1. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM), подходящая для выполнения термической операции записи или операции записи на основе переноса спинового момента (STT), содержащая магнитный туннельный переход, содержащий верхний электрод; первый ферромагнитный слой, имеющий первое направление намагниченности; второй ферромагнитный слой, имеющий второе направление намагниченности, которое может регулироваться относительно первого направления намагниченности; туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем и вторым ферромагнитным слоем; и внешний слой, причем второй ферромагнитный слой находится между внешним слоем и туннельным барьерным слоем;причем магнитный туннельный переход дополнительно содержит магнитный или металлический слой, на который осажден второй ферромагнитный слой; ипричем второй ферромагнитный слой имеет толщину между около 0,5 нм и около 2 нм, и магнитный туннельный переход имеет магнитосопротивление больше, чем около 100%.2. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM) по п.1, в которой второе направление намагниченности второго ферромагнитного слоя может регулироваться обратимым образом путем пропускания спин-поляризованного тока в магнитном туннельном переходе.3. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM) по п.1, в которой второй ферромагнитный магнитный слой сделан из сплава, содержащего одно из Fe, Ni, Co, Cr, V, Si и В, или комбинацию любого одного из них.4. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства (MRAM) по п.1, в которой упомянутый магнитный или металлический слой содержит подслой в контакте со вторым ферромагнитны |
