| 发明名称 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКОВОЛЬТНОГО БТИЗ НА 400 В |
| 摘要 |
Способ изготовления измерительного транзистора БТИЗ НА 400 В, включающий процессы формирования областей затворов на подложке с двойным слоем эпитаксиального наращивания и отличающийся формированием затворов в 2 ряда друг над другом, что позволяет получить кристалл с меньшими габаритными размерами 3.2×4.7 мм. |
| 申请公布号 |
RU2012102232(A) |
申请公布日期 |
2013.07.27 |
| 申请号 |
RU20120102232 |
申请日期 |
2012.01.23 |
| 申请人 |
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет" (ДГТУ) |
发明人 |
Исмаилов Тагир Абдурашидович;Шахмаева Айшат Расуловна;Захарова Патимат Расуловна |
| 分类号 |
H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
