Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen

摘要

Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements das Ausbilden eines Grabens von einer oberen Oberfläche eines Substrats mit einem Bauelementgebiet. Das Bauelementgebiet befindet sich neben der oberen Oberfläche als eine gegenüberliegende untere Oberfläche. Der Graben umgibt die Seitenwände des Bauelementgebiets. Der Graben wird mit einem Kleber gefüllt. Eine Kleberschicht wird über der oberen Oberfläche des Substrats ausgebildet. Ein Träger wird mit der Kleberschicht angebracht. Das Substrat wird von der unteren Oberfläche aus verdünnt, um mindestens einen Abschnitt des Klebers und eine hintere Oberfläche des Bauelementgebiets zu exponieren. Die Kleberschicht wird entfernt und Kleber wird geätzt, um eine Seitenwand des Bauelementgebiets zu exponieren.