| 发明名称 |
Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Kontaktieren von Solarzellen, sowie Solarzellen |
| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zum Kontaktieren eines Halbleitersubstrates, insbesondere zur Kontaktierung von Solarzellen (10), angegeben, insbesondere zur Herstellung von Frontkontakten (19) an Solarzellen (10), bei dem zunächst eine metallische Saatstruktur (20) auf der zu kontaktierenden Oberfläche mittels eines LIFT-Prozesses erzeugt wird und anschließend eine Siebdruckschicht (22) auf die Saatstruktur (20) mittels eines Siebdruckverfahrens aufgedruckt wird.</p> |
| 申请公布号 |
DE102012003866(B4) |
申请公布日期 |
2013.07.25 |
| 申请号 |
DE20121003866 |
申请日期 |
2012.02.23 |
| 申请人 |
UNIVERSITAET STUTTGART |
发明人 |
WERNER, JUERGEN;ZAPF-GOTTWICK, RENATE |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L31/0224;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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