发明名称 | 含纳米硫化铜铝的孤立膜及制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了含纳米硫化铜铝的孤立膜及制备方法。孤立薄膜的基质为有机改性硅醇盐甲基三乙氧基硅烷(MTES)与γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷(KH560)经水解与聚合后而成的SiO2/有机基团复合材料,用于近红外吸收的纳米粉体为黄铜矿结构CuAlS2。该粉体通过超声雾化法制得。将硫化铜/硫化铝混合溶液与硫化钠溶液进行接触反应,生成CuA1S2。粉体经过湿磨与干磨等粉体处理,然后分散于十六烷甲基溴化铵溶液中,再与MTES/KH560复合,然后涂覆于洁净的涤纶衬底膜表面上,制得含纳米CuAlS2无支撑厚膜。本发明是工艺简单、成本低廉、操作方便、合成效率高、可望用于太阳能热屏蔽与专业红外吸收材料上。 | ||
申请公布号 | CN103214019A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
申请号 | CN201310134107.0 | 申请日期 | 2013.04.16 |
申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 夏海平;徐磊;王冬杰;张约品 |
分类号 | C01G3/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G3/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 含纳米硫化铜铝的孤立膜及制备方法,其特征在于纳米粉体的分子式与组成为CuAlS2,具有很强的近红外线吸收特性。 | ||
地址 | 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号 |