| 发明名称 | 磁阻随机存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及了一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括了磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶电极、设置在MTJ下方的底电极，以及设置在MTJ上方或下方的感应线。感应线被配置成在MTJ处产生磁场。 | ||
| 申请公布号 | CN103219461A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201210193379.3 | 申请日期 | 2012.06.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江典蔚;林楷竣;高雅真;于鸿昌 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种磁阻随机存储器(MARM)单元，包括：磁隧道结(MTJ)；顶电极，设置在所述MTJ上方；底电极，设置在所述MTJ下方；以及感应线，设置在所述MTJ上方或下方，其中，所述感应线被配置为在所述MTJ处产生磁场。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||