发明名称 一种改善高压器件晶体管漏电的方法
摘要 本发明提供一种改善高压器件晶体管漏电的方法。该方法包括形成高压器件晶体管的前段器件的步骤,在形成的前段器件上进行金属互连的步骤,其中进行金属互连的步骤包括BPSG沉积的步骤,在BPSG沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤,在高温退火步骤之后进行PE TEOS沉积的步骤。本发明由于在BPSG沉积步骤之后进行了高温退火步骤,可以有效去除BPSG中的水气,从而防止水气向器件中的扩散,避免了因水气的扩散而造成的器件漏电。
申请公布号 CN103219235A 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201310114355.9 申请日期 2013.04.03
申请人 无锡华润上华科技有限公司 发明人 李健
分类号 H01L21/324(2006.01)I 主分类号 H01L21/324(2006.01)I
代理机构 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人 王爱伟
主权项 一种改善高压器件晶体管漏电的方法,其包括如下步骤:形成高压器件晶体管前段器件的步骤;对形成的器件进行金属互连的步骤,其中该金属互连的步骤包括:含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积的步骤;在含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤;在高温退火步骤之后进行等离子增强正硅酸乙酯(PE TEOS)沉积的步骤。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号