发明名称 |
一种改善高压器件晶体管漏电的方法 |
摘要 |
本发明提供一种改善高压器件晶体管漏电的方法。该方法包括形成高压器件晶体管的前段器件的步骤,在形成的前段器件上进行金属互连的步骤,其中进行金属互连的步骤包括BPSG沉积的步骤,在BPSG沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤,在高温退火步骤之后进行PE TEOS沉积的步骤。本发明由于在BPSG沉积步骤之后进行了高温退火步骤,可以有效去除BPSG中的水气,从而防止水气向器件中的扩散,避免了因水气的扩散而造成的器件漏电。 |
申请公布号 |
CN103219235A |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201310114355.9 |
申请日期 |
2013.04.03 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
李健 |
分类号 |
H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
王爱伟 |
主权项 |
一种改善高压器件晶体管漏电的方法,其包括如下步骤:形成高压器件晶体管前段器件的步骤;对形成的器件进行金属互连的步骤,其中该金属互连的步骤包括:含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积的步骤;在含硼磷的二氧化硅(BPSG)沉积之后进行快速热退火(RTA)高温退火的步骤;在高温退火步骤之后进行等离子增强正硅酸乙酯(PE TEOS)沉积的步骤。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |