发明名称 发光二极管封装及其制作方法
摘要 本发明揭露一种发光二极管封装及其制作方法。该发光二极管封装包括一第一导线及自该第一导线的侧向延伸的一绝缘层,而一第二导线设置于该绝缘层上并延伸于该绝缘层的上表面及下表面上,其中该第二导线与该第一导线电性分离。一发光二极管则设置第一导线上,该发光二极管的一第一电极与该第一导线电性连接,且该发光二极管的一第二电极与该第二导线电性连接。一封胶层封装该发光二极管。
申请公布号 CN102136431B 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201010165571.2 申请日期 2010.04.16
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 倪君耀;蔡志嘉;邹文杰
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L25/13(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 任永武
主权项 一种发光二极管封装的制作方法,包括: 提供一基板,该基板包括一绝缘基材及设置于该绝缘基材上表面的一上导电层及设置于该绝缘基材下表面的一下导电层,该基板上包括有多个元件区; 图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层,以在各该元件区中形成电性分离的一第一导线区及一第二导线区,并于各该第一导线区的该上导电层内分别形成一开口,其中这些开口部分暴露出该绝缘基材; 去除位于各该第一导线区中暴露的该绝缘基材而在各该元件区中形成一凹槽; 电性连接各该第一导线区的图案化上导电层及图案化下导电层以形成一第一导线; 电性连接各该第二导线区的图案化上导电层及图案化下导电层以形成一第二导线; 将多个发光二极管分别设置于各该凹槽内,并使各该发光二极管的一第一电极与该第一导线电性连接,以及使各该发光二极管的一第二电极与该第二导线电性连接; 在该基板上形成一封胶层封装这些发光二极管;以及 切割该基板,而形成多个发光二极管封装; 其中,各该凹槽暴露出各该第一导线区中的部分该下导电层。
地址 中国台湾新北市树林区中华路6之8号
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