薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包含有一定义有复数个配向异常区、复数个配向正常区与一组件区的基底、设置于该基底上的该组件区内的复数条扫描线、复数条数据线、复数条储存电极线、与复数个开关组件、复数个设置于该等配向异常区内的配向结构、一设置于该基底与该等配向结构上的配向层。该配向层还包含复数个设置于该等配向异常区内且覆盖该等配向结构的第一配向沟槽，以及复数个设置于该等配向正常区内的第二配向沟槽，且该等第二配向沟槽的一深度与一宽度是等于该等第一配向沟槽的一深度与一宽度。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包含有：提供一基底，且该基底上形成复数条扫描线、复数条数据线、复数条储存电极线与复数个开关组件；于该基底上定义复数个配向正常区与复数个配向异常区，其中该等配向正常区是位于该等扫描线、该等数据线、该等储存电极线与该等开关组件的一侧，且该等配向异常区是位于该等扫描线、该等数据线、该等储存电极线与该等开关组件的另一侧；于该基底上依序形成一绝缘层与一透明导电层；对该绝缘层与该透明导电层的其中至少一者进行一图案化制程，以于该等配向异常区内分别形成复数个配向结构；于该基底上形成一配向材料层，且该等配向异常区内的该配向材料层是沿该等配向结构形成复数个第一配向沟槽，该等配向结构的一深度与一宽度是大于该等第一配向沟槽的一深度与一宽度；以及进行一摩擦配向制程，沿一配向方向于该配向正常区内的该配向材料层上形成复数个第二配向沟槽，该等第一配向沟槽的一深度与一宽度是等于该等第二配向沟槽的一深度与一宽度，该等第一配向沟槽与该等第二配向沟槽的配向方向相同。