| 发明名称 | 具有铜内部互连的半导体设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供具有铜内部互连的半导体设备及其制造方法。在一具体实施例中，在例如经前段加工的基板上制成有铜内部互连的半导体设备。该方法包括：形成铜层于基板上。该铜层由晶粒形成。该铜层经改质使得该经改质的铜层有约0.05微米以上的平均粒径。在该方法中，蚀刻该经改质的铜层以形成沿着该基板的线路以及由该线路向上延伸的通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN103219279A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310017487.X | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 张洵渊;H·金 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造具有铜内部互连的半导体设备的方法，该方法包括：形成铜层于基板上，其中，该铜层由晶粒形成；改质该铜层，其中，该经改质的铜层具有约0.05微米以上的平均粒径；以及蚀刻该经改质的铜层，以形成沿着该基板的线路及由该线路向上延伸的通孔。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||