发明名称 | 一种实现基于UBI的动态磨损均衡的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种实现基于UBI的动态磨损均衡的方法,该方法在原有基础上通过修改文件系统有选择的擦写Flash芯片中的块,使得芯片中各个块均衡的被擦写,从而延长整块Flash芯片的寿命。本发明提出“超龄区”和“虚年龄”的概念可以尽量减少有效数据迁移操作的发生,还可以有效的避免了有效数据迁移操作的副作用,从而不再需要新分块数据保护措施,简化了设计,同时也降低了系统损耗。 | ||
申请公布号 | CN103218306A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
申请号 | CN201310105890.8 | 申请日期 | 2013.03.29 |
申请人 | 四川长虹电器股份有限公司 | 发明人 | 李宗海 |
分类号 | G06F12/06(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/06(2006.01)I |
代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人 | 詹永斌 |
主权项 | 一种实现基于UBI的动态磨损均衡的方法,其特征在于:步骤一、对所有的逻辑块进行温度评估,划分为高温块和低温块;步骤二、对所有物理块根据擦写次数划归入低龄区、高龄区和超龄区;步骤三、对逻辑块进行空闲块分配,依据逻辑块温度类型选择低龄区和高龄区中合适的物理块作为映射对象,超龄区中物理块不进行映射;步骤四、通过数据迁移回收脏页,清理Flash存储器中的脏页,获得可用的物理块;步骤五、若回收后仍无法得到足够的可用的物理块,则释放超龄区中的物理块。 | ||
地址 | 621000 四川省绵阳市高新区绵兴东路35号 |