P沟道非易失性存储元件的操作方法

摘要

一种操作非易失性存储元件的方法。此存储元件包括多个存储单元。存储单元具有n型半导体衬底，以及设置于衬底表面下、且以沟道区分隔的p型源极与漏极区。穿隧介电层设置于沟道区上。电荷存储层设置于穿隧介电层上。顶绝缘层设置于电荷存储层上，而栅极则设置于顶绝缘多层结构上。在选定存储单元的存储元件的字线施加正偏压，并且在此选定存储单元的位线施加负偏压。

主权项

一种操作存储单元的方法，其特征在于其包括：(a)提供存储单元，所述存储单元包括(i)n型衬底，具有两个p型源或漏极区设置于所述衬底的表面下，所述两个p型源或漏极区借由沟道区分隔，(ii)多层穿隧介电结构，包括一层厚度为1纳米至3纳米的具有低空穴穿隧能障的膜层，所述低空穴穿隧能障的膜层本身不会成为电荷陷入层且设置于所述沟道区上，(iii)包括一层电荷陷入材质的电荷存储层，设置于所述多层穿隧介电结构上，(iv)绝缘层，设置于所述电荷存储层上，以及(v)控制栅极，设置于所述绝缘层上；(b)在所述控制栅极施加负复位偏压，以使得空穴自所述沟道区穿隧而出，经由所述多层穿隧介电结构进入所述存储单元的所述电荷存储层而电子由所述控制栅极穿隧而出，经过所述绝缘层而进入所述电荷存储层，使得到达复位状态所需要的复位操作时间为10msec；以及(c)在所述控制栅极施加正偏压，以及在所述两个p型源或漏极区的其中之一施加负偏压以编程所述存储单元。