发明名称 |
一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的镀制方法 |
摘要 |
本发明涉及一种提高近红外高反膜激光损伤阈值的镀制方法,该方法属于薄膜光学领域,主要针对近红外激光高反膜中限制阈值的瓶颈——节瘤。当前的技术手段主要通过消除节瘤,即降低节瘤密度和尺寸来提升薄膜的阈值。但在当前技术条件下,消除节瘤需要耗费巨大的成本,而且无法完全消除。本发明提出了一种直接改善节瘤阈值从而提升薄膜阈值的方法。理论和实践已经证明,镀膜工艺决定了节瘤的几何特性,而节瘤的几何特性与抗激光损伤特性息息相关。通过加大薄膜分子在基板沉积的入射角,降低入射分子的沉积动能,可以使得节瘤的阈值得到明显改善。此方法具有针对性强、效率高、简单易行的特点。 |
申请公布号 |
CN103215550A |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201310102800.X |
申请日期 |
2013.03.28 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
鲍刚华;程鑫彬;宋智;焦宏飞;王占山 |
分类号 |
C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/30(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
张磊 |
主权项 |
一种提高光学薄膜激光损伤阈值的镀制方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将基板清洗干净,然后利用高纯氮气吹干后放入镀膜机内;(2)控制镀膜机内真空室的本底真空度为1×10‑3Pa~3×10‑3Pa,将基板加热至200度,并恒温80分钟;(3) 固定基板与蒸发源HfO2和SiO2的相对位置,采用电子束交替蒸发HfO2和SiO2;控制蒸镀时的氧分压为1.0E‑2Pa~3.0E‑2Pa,速率为0.05nm/s~0.3nm/s;(4)待真空室内温度自然冷却至室温后取出镀制好的样品。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |