| 发明名称 | 用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置，该装置包括：混料器，用于将填充胶水进行混合，所述填充胶水包括双组份环氧胶和填充料，所述填充料为三氧化二铝，且所述填充料占所述填充胶水总重量的8~12%；脱泡机，用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理；加热设备，用于对读出电路芯片上进行加热；点胶器，用于当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充，提高了百万像素碲镉汞混成芯片的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN203085492U | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201220674745.2 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 谢珩;王宪谋;王骏;刘海龙;张鹏 |
| 分类号 | H01L21/54(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/54(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 吴永亮 |
| 主权项 | 一种用于百万像素碲镉汞混成芯片的底部填充装置，其特征在于，包括： 混料器，用于将填充胶水进行混合； 脱泡机，用于将配置好的填充胶水进行均匀搅拌和脱泡处理； 加热设备，用于对读出电路芯片上进行加热； 点胶器，用于当加热到预定温度后，沿所述读出电路芯片和探测器芯片之间的缝隙进行喷射点胶，得到处理后的底部填充。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 | ||