三维集成电路横向散热

摘要

本申请涉及三维集成电路横向散热。通过用热传导材料（320）填充堆叠的IC装置的层（31、32）之间的气隙，可横向转移在所述层中的一者内的一个或一个以上位置处产生的热。所述热的所述横向转移可沿着所述层的全部长度，且所述热材料可为电绝缘的。可将穿硅通孔（331）构造于某些位置处以辅助远离受热干扰位置（310）的散热。

主权项

一种三维集成电路（IC）装置，包括：堆叠在第二裸片上的第一裸片，所述第一裸片在周长上大于所述第二裸片；所述第一裸片和所述第二裸片通过层体到层体的连接耦合起来，所述层体到层体的连接在所述第一裸片和所述第二裸片之间造成了间隙；填充了第一热传导材料的穿硅通孔，所述穿硅通孔安置在所述第一裸片中；以及所述第二裸片包括热传导层体，其中，所述第二裸片包括至少两个裸片，所述两个裸片中的至少之一还包括第二热传导层。