氮化镓射频功率器件及其制备方法

摘要

本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。

主权项

一种氮化镓射频功率器件，包括：在衬底上依次形成的氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；以及，在所述氮化镓铝隔离层之上形成的栅介质层；其特征在于，还包括：在所述栅介质层之上形成的栅叠层区，包括栅极以及位于栅极之上的钝化层；在所述栅叠层区的两侧形成的第一栅极侧墙；在所述氮化镓铝隔离层之上，所述栅极的一侧形成的漏极以及在所述栅极的非漏极侧形成的源极；只在所述栅叠层区靠近漏极的一侧，且位于所述第一栅极侧墙与漏极之间形成的第二栅极侧墙。