微晶硅薄膜晶体管

摘要

提供了在薄膜晶体管结构中形成微晶硅层的方法。在一实施方式中，一种形成微晶硅层的方法，包括：提供基板至处理腔室中；提供包含氢系气体、硅系气体和氩气的气体混合物至该处理腔室中，该气体混合物中氢系气体与硅系气体的体积流率比大于100∶1，其中氩气的体积流率比占氢系气体与硅系气体两者总气流的约5％至40％；以及在沉积微晶硅层到该基板上时，维持该处理腔室中该气体混合物的处理压力在大于约3torr的范围。

主权项

一种用来形成微晶硅层的方法，包含：提供基板至处理腔室中；提供第一气体混合物至该处理腔室中，所述第一气体混合物具有含氢气体、含硅气体和惰性气体，所述含氢气体与含硅气体的体积流率比大于200：1；维持所述处理腔室中的第一处理压力在大于6torr的范围，以便在有由所述第一气体混合物所形成的等离子体存在下沉积内含第一微晶硅的层；提供第二气体混合物至所述处理腔室中，所述第二气体混合物具有含氢气体和含硅气体；及维持所述处理腔室中的第二处理压力在小于5torr的范围，以便在有由所述第二气体混合物所形成的等离子体存在下沉积内含第二微晶硅的层。