发明名称 |
显示装置 |
摘要 |
一种保护电路,其包括非线性元件,所述非线性元件进一步包括:栅电极;覆盖栅电极的栅极绝缘层;一对第一及第二布线层,在栅极绝缘层上其端部与栅电极重叠,并且其中层叠导电层和第二氧化物半导体层;第一氧化物半导体层,其至少与栅电极重叠并与栅极绝缘层、第一及第二布线层的导电层的侧面部和第二氧化物半导体层的侧面部及顶面部接触。在栅极绝缘层上,物理性不同的氧化物半导体层彼此接合,从而与肖特基结相比可以执行稳定的操作。因此,可以减少结的泄漏,并可以提高非线性元件的特性。 |
申请公布号 |
CN102150191B |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN200980135451.3 |
申请日期 |
2009.08.24 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广 |
分类号 |
G09F9/30(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
G09F9/30(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
刘倜 |
主权项 |
一种显示装置,包括:在具有绝缘表面的衬底上的彼此交叉的扫描线和信号线;包括像素电极和薄膜晶体管的像素部,其中所述薄膜晶体管包括:与所述扫描线连接的栅电极;包括第一氧化物半导体层的沟道形成区域;与所述信号线和所述第一氧化物半导体层连接的第一布线层;以及与所述像素电极和所述第一氧化物半导体层连接的第二布线层;形成在所述像素部和设置在所述衬底的周边部的信号输入端子之间的非线性元件,其中所述非线性元件包括:与所述扫描线或所述信号线连接的栅电极;覆盖所述非线性元件的所述栅电极的栅极绝缘层;位于所述栅极绝缘层上并与所述非线性元件的所述栅电极重叠的一对第一及第二布线层,其中所述一对第一及第二布线层中的每一个包括导电层和在所述导电层上的第二氧化物半导体层;以及与所述第二氧化物半导体层的上表面和侧表面接触并与所述导电层的侧表面接触的第一氧化物半导体层,其中所述非线性元件的所述第一布线层或所述第二布线层经由第三布线层与所述非线性元件的所述栅电极连接。 |
地址 |
日本神奈川 |