发明名称 多引线通孔的形成方法
摘要 一种多引线通孔的形成方法,包括提供一基材,至少具有一第一表面和一孔洞,孔洞具有孔壁;形成一第一导电层于基材的整个表面和孔壁上;形成一光阻层于第一导电层的整个表面上,且选择性地图案化光阻层,以在第一导电层上定义出多个侧向分离区域;以图案化光阻层为一屏蔽,在该些侧向分离区域上电镀一第二导电层,且第二导电层的厚度实质上大于第一导电层的厚度;移除图案化光阻层;以及实质上地移除未被第二导电层覆盖的部分第一导电层因而形成多条在第一表面上延伸并通过孔洞的侧向分离的引线。
申请公布号 CN102149255B 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201010119994.0 申请日期 2010.02.04
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈敏尧;庄茂樟;李明锦;王建皓
分类号 H05K3/40(2006.01)I;H05K3/42(2006.01)I;H05K3/06(2006.01)I 主分类号 H05K3/40(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种多引线通孔的形成方法,包括:提供一基材,至少具有一第一表面和一孔洞,该孔洞具有一孔壁;形成一第一导电层于该基材的整个该第一表面和该孔壁上;形成一光阻层于该第一导电层的整个一表面上,且选择性地图案化该光阻层而形成一图案化光阻层,以在该第一导电层上定义出数个由该第一表面延伸至该孔壁上的侧向分离区域;以该图案化光阻层为一屏蔽,在该些侧向分离区域上电镀一第二导电层,且该第二导电层的厚度大于该第一导电层的厚度;移除该图案化光阻层;以及移除未被该第二导电层覆盖的部分该第一导电层因而形成数个侧向分离的引线,而该些侧向分离的引线延伸在该第一表面上且通过该孔洞。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号