一种MIPM型内场发射阴极

摘要

本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下，该功能层不仅能输运电子而且能储存电子，从而提高发射效率。与现有技术相比，本发明具有发射电流大、稳定性好等优点，并且这种阴极环境适应能力强，不仅可在气体中工作，也可在液体中工作。

主权项

一种MIPM型内场发射阴极，其包括依次连接的四个功能薄膜层：底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层，其特征在于，所述的底电极层材料为金属或合金，厚度≧10 nm，所述的顶电极层材料为低电子亲和势能的金属或半导体，所述的低电子亲和势能的金属或半导体为Au、Ag或ZrN，厚度为5 nm~500 nm，所述的绝缘层材料为金属氧化物、第四族元素氧化物、陶瓷或云母，厚度为100 nm~1 μm，所述的电子储存传输层材料为n型多孔硅，厚度为10 μm~0.5 mm。