| 发明名称 | 用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改善的a-Si：H吸收器层 | ||
| 摘要 | 为了改善非晶硅吸收器层处于单一构造或串联构造的薄膜太阳能电池，通过在RF-SiH4等离子体中进行等离子体加强蒸汽沉积来制造所针对的a-Si:H的吸收器层，其中以低于0.5mbar的过程压力和以低于370W/14000cm2的RF功率密度中至少之一进行所述沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN103222071A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201180053284.5 | 申请日期 | 2011.09.02 |
| 申请人 | 欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫） | 发明人 | M.费西奥鲁-莫拉里乌 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 郑冀之;王忠忠 |
| 主权项 | 一种通过在RF‑SiH4等离子体中进行等离子体加强蒸汽沉积PECVD来制造薄膜太阳能电池的a‑Si:H的吸收器层的方法，所述方法包括下述步骤中的至少之一a）以低于0.5 mbar的过程压力进行所述沉积b）以低于370W/14 000 cm2的RF功率密度进行所述沉积。 | ||
| 地址 | 瑞士特吕巴赫 | ||