发明名称 具有累积写入特征的存储方法、存储器和存储系统
摘要 本发明提供一种具有累积写入特征的存储方法、存储器及存储系统,其将或运算、与运算从CPU/ALU(控制器)转移至存储器内,可减少数据传输线读写转换次数。本发明的一种存储器的接口单元包括写入运算指令接口、写入指令接口、地址指令接口;所述写入运算指令接口包括“写入_或”指令接口和/或“写入_与”指令接口;所述指令/地址-译码器用于写入运算指令、写入指令、地址指令的解码;所述p场效应晶体管的驱动能力大于数据开关的驱动能力,所述n场效应晶体管的驱动能力小于数据开关的驱动能力。本发明可减少CPU/ALU的工作负荷(负载);可连续将数据写入至存储器(无需先读取)。
申请公布号 CN102280138B 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201110079022.8 申请日期 2011.03.31
申请人 西安华芯半导体有限公司 发明人 郝亨福
分类号 G11C11/4197(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C11/4197(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 徐平;王少文
主权项 一种具有累积写入特征的存储方法,其特征在于:包括以下步骤:1】在控制器或CPU与存储器之间设置标准的指令接口,从而控制器或CPU能够向存储器发出写入指令、地址指令以及写入运算指令;所述写入运算指令包括“写入_或”指令和/或“写入_与”指令;2】在存储器内使用指令/地址‑译码器对写入指令、地址指令以及写入运算指令进行解码;3】当解码“写入_或”指令后,接通地址指令相应存储单元的互补数据开关的“写入_或”数据开关,数据传输线写入的数据可将交叉耦合反相器内的正相数据从0切换至1,但不能从1切换至0;当解码“写入_与”指令后,接通地址指令相应存储单元的互补数据开关的“写入_与”数据开关,数据传输线写入的数据可将交叉耦合反相器内的正相数据从1切换至0,但不能从0切换至1;当解码写入指令后,接通地址指令相应的存储单元的两个互补数据开关,数据传输线写入的数据可将交叉耦合反相器内的数据双向切换,所述存储单元包括两个互补数据开关、两个交叉耦合反相器,所述两个互补数据开关包括“写入_与”数据开关和“写入_或”数据开关。
地址 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层
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