| 发明名称 | 一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括：DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接；该实用新型比现有相关DDR3DRAM输出单元技术兼容性好，而且切换成DDR2DRAM输出单元简单、价格便宜。 | ||
| 申请公布号 | CN203085183U | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201220716658.9 | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 西安华芯半导体有限公司 | 发明人 | 刘海飞 |
| 分类号 | G11C11/4093(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4093(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 杨引雪 |
| 主权项 | 一种可兼容DDR2和DDR3的OCD单元，包括：DDR3配置单元、DDR3校准单元以及多个并联的驱动单元，其特征在于：还包括DDR2配置单元、DDR2校准单元以及二选一单元；所述二选一单元包括配置二选一单元和校准二选一单元；所述DDR2配置单元与DDR3配置单元分别与配置二选一单元连接；所述DDR2校准单元与DDR3校准单元分别与校准二选一单元连接；所述配置二选一单元和校准二选一单元分别与多个并联的驱动单元连接。 | ||
| 地址 | 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 | ||