| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成深度掩埋的p型离子层；在所述半导体衬底上形成用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；使用隔离材料填充所述沟槽；对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区；对所述沟槽执行第二离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成p型阱区；所述p型阱区位于所述多个n型阱区之间。根据本发明，通过在半导体制造工艺的初始步骤中的半导体衬底0.5-1.5um处中形成1E16-1E18/cm3的掺杂浓度峰值，能够有效稳定地提高阱与阱之间的电绝缘性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103219240A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201210017572.1 | 申请日期 | 2012.01.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 宋化龙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成深度掩埋的p型离子层；在所述半导体衬底上形成用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；使用隔离材料填充所述沟槽；对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区；对所述沟槽执行第二离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成p型阱区；所述p型阱区位于所述多个n型阱区之间。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||