| 发明名称 | 光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光电二极管及其制造方法、X射线探测器基板及其制造方法。所述光电二极管的制造方法包括：在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层位于所述I型层之上。本发明采用离子注入和活化工艺制作光电二极管，通过改变光电二极管的制作顺序，避免了因硼离子的注入造成对本征非晶硅的污染，从而提高了光电二极管的光电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103219431A | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201310139580.8 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 郭炜;任庆荣 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/115(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种光电二极管的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成光电二极管，所述光电二极管包括N型层、I型层以及经过离子注入和活化工艺形成的P型层，所述I型层位于所述P型层之上，所述N型层位于所述I型层之上。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||