发明名称 |
一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管 |
摘要 |
本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列,由纳米颗粒构成线光栅的偏振结构,以获得偏振出光,其光栅周期为50~400nm,占空比为0.2~0.9,厚度为50~400nm纳米,纳米颗粒的直径为5~200nm。与现有技术线光栅偏振器相比,本发明提供的偏振出光发光二极管制备简便,降低成本,且具有良好的偏振消光比和透过率。 |
申请公布号 |
CN103219439A |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201310144195.2 |
申请日期 |
2013.04.24 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
曹冰;邢贺;张桂菊;王钦华;俞强;何舜宇 |
分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋 |
主权项 |
一种偏振出光发光二极管,它的发光二极管芯片包括:衬底,n型层,量子阱,p型层,其特征在于:在发光二极管芯片的p型层的出光表面上设置偏振结构,所述的偏振结构为纳米颗粒阵列光栅,其光栅的周期为60~400nm, 占空比为0.2~0.9,厚度为60~400nm。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |