发明名称 一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管
摘要 本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列,由纳米颗粒构成线光栅的偏振结构,以获得偏振出光,其光栅周期为50~400nm,占空比为0.2~0.9,厚度为50~400nm纳米,纳米颗粒的直径为5~200nm。与现有技术线光栅偏振器相比,本发明提供的偏振出光发光二极管制备简便,降低成本,且具有良好的偏振消光比和透过率。
申请公布号 CN103219439A 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201310144195.2 申请日期 2013.04.24
申请人 苏州大学 发明人 曹冰;邢贺;张桂菊;王钦华;俞强;何舜宇
分类号 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I 主分类号 H01L33/06(2010.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋
主权项 一种偏振出光发光二极管,它的发光二极管芯片包括:衬底,n型层,量子阱,p型层,其特征在于:在发光二极管芯片的p型层的出光表面上设置偏振结构,所述的偏振结构为纳米颗粒阵列光栅,其光栅的周期为60~400nm, 占空比为0.2~0.9,厚度为60~400nm。
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