半导体装置

摘要

一种半导体装置，当在大型且扁平化的半导体装置的基板和半导体部件之间填充底部填充树脂时，能够均匀地渗透填充。半导体装置在基板(10)上安装有半导体部件(20)，并且在基板和半导体部件之间填充有底部填充树脂(40)，在基板上与底部填充树脂接触的区域的一部分具有亲液化处理部(30)，亲液化处理部被处理为与亲液化处理部的周围的区域部分相比至少对液状的底部填充树脂具有亲液性。亲液化处理部被处理为接触角小于亲液化处理部的周围的区域部分的接触角。亲液化处理部的周围的区域部分被覆有阻焊剂。在亲液化处理部，在阻焊剂上形成有通过紫外光曝光被实施了亲液化处理的氧化钛膜。

主权项

一种半导体装置，在基板上安装有半导体部件，并且在所述基板和所述半导体部件之间填充有底部填充树脂，所述半导体装置的特征在于，在所述基板和所述半导体部件的一方或双方中与所述底部填充树脂接触的区域的一部分具有亲液化处理部，所述亲液化处理部被处理为与所述亲液化处理部的周围的区域部分相比至少对液状的底部填充树脂具有亲液性，在该亲液化处理部与所述基板和所述半导体部件的一方或双方之间设置有阻焊剂，所述亲液化处理部的周围的区域部分被覆有阻焊剂，在所述亲液化处理部，阻焊剂的表面通过离子照射被实施了表面改性，所述亲液化处理部不包括最外周的焊锡凸块，在配置有所述亲液化处理部的区域的内侧的区域未被覆有阻焊剂，且在配置有所述亲液化处理部的区域的外侧的区域不存在与所述亲液化处理部分离的其它亲液化处理部。