| 发明名称 | 程序化一多阶存储器的装置与方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种程序化一存储装置的方法，该存储装置包含多个存储单元，包含以一第一程序化阶段的一第一临时电压(PPV’1)验证目标为一第一阶级的一第一存储单元，在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化，及使用该第一程序化阶段的一第一后验证电压(PV’1)对该第一存储单元进行验证，其中该第一后验证电压与该第一临时电压不相同。本发明亦提供一对应的装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102034527B | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN201010260654.X | 申请日期 | 2010.08.20 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何信义;李家庆;洪俊雄 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种程序化一存储装置的方法，该存储装置包含多个存储单元，包含：以一第一程序化阶段的一第一临时电压(PPV’1)验证目标为一第一阶级的一第一存储单元；在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化；使用该第一程序化阶段的一第一后验证电压(PV’1)对该第一存储单元进行验证；在一第二程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化；以及使用该第二程序化阶段后第一验证电压(PV1)对目标为该第一阶级的该第一存储单元进行验证；其中，第一验证电压(PV1)、第一后验证电压(PV’1)和第一临时电压(PPV’1)三者的值不同，且第一验证电压(PV1)、第一后验证电压(PV’1)和第一临时电压(PPV’1)三者的验证目标均为该第一阶级的该第一存储单元。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||