发明名称 |
一种IGBT及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及功率半导体器件,提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT,其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区,所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管,所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流,这种结构具有自夹断效果,使得IGBT的短路耐受量大大增加,能够很好的保护IGBT。 |
申请公布号 |
CN102034815B |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN200910110732.5 |
申请日期 |
2009.09.29 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
唐盛斌;朱超群;冯卫;陈宇;吴海平;刘林 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种IGBT,其特征在于,第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区,所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管,所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接,其中,所述漂移层的上部设置有第二导电类型体区,所述第二导电类型第一半导体区位于所述第二导电类型体区的下方,所述IGBT的发射极通过穿过第二导电类型体区和部分漂移层的电导体与所述第二导电类型第一半导体区连接。 |
地址 |
518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 |