发明名称 紧凑型圆波导超强耦合器
摘要 本实用新型公布了紧凑型圆波导超强耦合器,包括主波导和副波导,还包括连通主波导和副波导的耦合孔,和设置在主波导内或/和副波导内的加载体,加载体相邻于耦合孔,主波导的两端分别为输入端口和隔离端口A,副波导的两端分别为输出端口和隔离端口B。本实用新型具有结构简单紧凑、工作频带宽、插入损耗低、加工调试成本低等特点,克服了由于波导跨接、交叉需要立体的复杂结构而造成交叉处体积增大、加工精度降低等一系列问题,提供了一种在一个平面上即可实现波导跨接、交叉传输的超级耦合器。
申请公布号 CN203085731U 申请公布日期 2013.07.24
申请号 CN201320108565.2 申请日期 2013.03.11
申请人 成都赛纳赛德科技有限公司 发明人 王清源;谭宜成;张运波
分类号 H01P5/18(2006.01)I 主分类号 H01P5/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 紧凑型圆波导超强耦合器,其特征在于,包括主波导(1)和副波导(2),还包括连通主波导(1)和副波导(2)的耦合孔(3),和设置在主波导(1)内或/和副波导(2)内的加载体(4),加载体(4)相邻于耦合孔(3),主波导(1)的两端分别为输入端口和隔离端口A,副波导(2)的两端分别为输出端口和隔离端口B,连通主波导(1)和副波导(2)的耦合孔(3)的宽度为X,耦合孔(3)的高度为Y,设置在主波导(1)内或/和副波导(2)内的加载体(4)的高度为Z,所述主波导(1)和副波导(2)都为圆形空波导,X小于或等于紧凑型圆波导超强耦合器工作频带中心频率时波长的两倍,Y小于主波导(1)或副波导(2)的最大高度,主波导(1)或副波导(2)的最大高度即圆形空波导的直径,Z小于或等于圆形空波导直径的三分之二。
地址 610000 四川省成都市成都高新区石羊工业园