| 发明名称 | 电熔丝结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种电熔丝结构，其包含设于半导体基底表面的熔丝本体、电性连接熔丝本体的一端的阴极、以及电性连接熔丝本体的另一端的阳极。依据本发明的较佳实施例，至少部分的熔丝本体上设有压缩应力层(compressive stress layer)。 | ||
| 申请公布号 | CN101771021B | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN200810184704.3 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郭建利;林永昌;吴贵盛;林三富 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种电熔丝结构，包含：熔丝本体，设于半导体基底表面之上，且至少部分该熔丝本体上覆盖有压缩应力层(compressive stress layer)；阴极，电性连接该熔丝本体的一端；阳极，电性连接该熔丝本体的另一端，其中该压缩应力层覆盖该阴极或该阳极；以及薄介电衬垫层，设于该熔丝本体及该压缩应力层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||